K3LK4L40DM-BGCT vs K3KL2L20DM-JGCT तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K3LK4L40DM-BGCT द्वारा Samsung Electronics और K3KL2L20DM-JGCT द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K3LK4L40DM-BGCT | K3KL2L20DM-JGCT |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DRAM (SDRAM component) | LPDDR5X SDRAM |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | 48 Gb |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| डेटा दर | [DATA_NEEDED: Data Rate] | 7500 Mbps |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | -25C to +85C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| संगठन | — | x64 |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| पैकेज | — | 441-ball FBGA |
| इंटरफ़ेस | — | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Product Status | — | Mass Production |
| Generation | — | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) |
| Application Segment | — | AI devices, automotive, mobile |