K3LK4L40DM-BGCT vs K3KL2L20DM-JGCT مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K3LK4L40DM-BGCT توسط Samsung Electronics و K3KL2L20DM-JGCT توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K3LK4L40DM-BGCT | K3KL2L20DM-JGCT |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DRAM (SDRAM component) | LPDDR5X SDRAM |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | 48 Gb |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| نرخ داده | [DATA_NEEDED: Data Rate] | 7500 Mbps |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | -25C to +85C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| سازمان | — | x64 |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| بسته‌بندی | — | 441-ball FBGA |
| رابط | — | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Product Status | — | Mass Production |
| Generation | — | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) |
| Application Segment | — | AI devices, automotive, mobile |