K3LK4L40DM-BGCT vs K4A4G085WD-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K3LK4L40DM-BGCT द्वारा Samsung Electronics और K4A4G085WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K3LK4L40DM-BGCT | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DRAM (SDRAM component) | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | — |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| डेटा दर | [DATA_NEEDED: Data Rate] | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| संगठन | — | 512M x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| पैकेज | — | FBGA-78 (TFBGA) |
| Number of Terminals | — | 78 |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |