K3LK4L40DM-BGCT vs K4A4G085WD-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K3LK4L40DM-BGCT מאת Samsung Electronics ו K4A4G085WD-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K3LK4L40DM-BGCT | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DRAM (SDRAM component) | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | — |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| קצב נתונים | [DATA_NEEDED: Data Rate] | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| ארגון | — | 512M x 8 |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| מארז | — | FBGA-78 (TFBGA) |
| Number of Terminals | — | 78 |
| ממשק | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |