K3LK4L40DM-BGCT vs K4A4G085WD-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K3LK4L40DM-BGCT توسط Samsung Electronics و K4A4G085WD-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K3LK4L40DM-BGCT | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DRAM (SDRAM component) | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | — |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| نرخ داده | [DATA_NEEDED: Data Rate] | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| سازمان | — | 512M x 8 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| بسته‌بندی | — | FBGA-78 (TFBGA) |
| Number of Terminals | — | 78 |
| رابط | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |