K4A8G085WB-BIRC vs K4A8G085WB-BICH तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BIRC द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB-BICH द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BIRC | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $6.56 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| डेटा दर | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2V |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to 95°C | 0°C to 85°C |
| पैकेज | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Die Family | B-die | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | 8, 16 | BL8, BL16 |
| इंटरफ़ेस | SSTL-12 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |