K4A8G085WB-BIRC vs K4A8G085WB-BICH 比較
詳細並排比較 K4A8G085WB-BIRC 由 Samsung Electronics 與 K4A8G085WB-BICH 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | K4A8G085WB-BIRC | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 庫存狀態 | In Stock | — |
| 單價 (USD) | $6.56 | — |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| 組織 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| 資料速率 | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| 供應電壓 | 1.2 V | 1.2V |
| 工作溫度 | -40°C to 95°C | 0°C to 85°C |
| 封裝 | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Die Family | B-die | — |
| CAS 延遲 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | 8, 16 | BL8, BL16 |
| 介面 | SSTL-12 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |