K4A8G085WB-BIRC vs K4A8G085WB-BICH مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BIRC توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BICH توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BIRC | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $6.56 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2V |
| دمای کاری | -40°C to 95°C | 0°C to 85°C |
| بسته‌بندی | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Die Family | B-die | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | 8, 16 | BL8, BL16 |
| رابط | SSTL-12 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |