K4A8G085WB-BIRC vs K4A8G085WB-BICH Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4A8G085WB-BIRC disebabkan oleh Samsung Electronics dan K4A8G085WB-BICH disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | K4A8G085WB-BIRC | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Status Stok | In Stock | — |
| Harga Unit (USD) | $6.56 | — |
| Jenis Ingatan | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organisasi | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Kadar Data | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.2 V | 1.2V |
| Suhu Operasi | -40°C to 95°C | 0°C to 85°C |
| Kemasan | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Die Family | B-die | — |
| Latensi CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | 8, 16 | BL8, BL16 |
| Antaramuka | SSTL-12 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | — |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |