K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WB-BIWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WC-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB-BIWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ अंतिम खरीदविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WC-BCTD | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | अंतिम बार खरीदें | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 1G x 8 | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps (PC4-2133) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | 0°C to +85°C |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| इंटरफ़ेस प्रकार | Synchronous, parallel | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |