K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WB-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ רכישה אחרונההשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC-BCTD | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | רכישה אחרונה | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 1G x 8 | — |
| קצב נתונים | 2666 Mbps (PC4-2133) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| מארז | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | 0°C to +85°C |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| סוג ממשק | Synchronous, parallel | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| גודל זיכרון | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |