K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16LY-062E AAT:E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WG-BCWE द्वारा Samsung Electronics और MT40A512M16LY-062E AAT:E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ सक्रियMicron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WG-BCWE | MT40A512M16LY-062E AAT:E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $35.98 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | 8 Gbit (1 GB) |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Max Data Rate | 3200 Mbps/pin | — |
| Clock Cycle Time | 19 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| पैकेज | FBGA-96 (BGA-96), surface mount | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | Auto/self refresh per DDR4 standard | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor, Inc. | — |
| Product Status | Active | — |
| Typical Standby Current | 20 mA (per LCSC listing) | — |
| Die Generation | Samsung B-die, 8Gb DDR4 x16 | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time | — | 19 ns |
| Speed Grade | — | 062E |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package max height] |
| MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Ordering Code Suffix | — | AAT:E (temperature/package option per Micron code) |
| Moisture Packaging | — | [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] |
| Data Rate Class | — | DDR4-3200 (062E speed bin) |