K4AAG165WM-BCWE vs MT40A256M16GE-075E:B तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WM-BCWE द्वारा Samsung Electronics और MT40A256M16GE-075E:B द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG165WM-BCWE | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Micron Technology |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $3.95 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 (1G x 16) | 256M x 16 |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| इंटरफ़ेस | Parallel (DDR4) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| Refresh | — | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |