K4AAG165WM-BCWE vs MT40A256M16GE-075E:B موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4AAG165WM-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A256M16GE-075E:B بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4AAG165WM-BCWE | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $3.95 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 (1G x 16) | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| انٹرفیس | Parallel (DDR4) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| Refresh | — | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |