K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646D-BMH9 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BFMA द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646D-BMH9 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 1866 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.5V | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | 0.8mm |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS लेटेंसी | Programmable | Programmable |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |