K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646D-BMH9 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BFMA توسط Samsung Electronics و K4B4G1646D-BMH9 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 1866 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| ولتاژ تغذیه | 1.5V | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | 0.8mm |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| تأخیر CAS | Programmable | Programmable |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | Yes |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |