K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646Q तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BFMA द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646Q द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.5V | 1.35V |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (BL8) |
| CAS लेटेंसी | Programmable | Programmable |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bits |
| Die | — | Q-die |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |