K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646Q Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BFMA tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646Q tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Hızı | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Besleme Gerilimi | 1.5V | 1.35V |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (BL8) |
| CAS Gecikme | Programmable | Programmable |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | Yes |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bits |
| Die | — | Q-die |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| İşletim Sıcaklığı | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |