K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646E-BYMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BYMA0 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $14.32 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps/pin |
| पैकेज | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| पिन की संख्या | — | 96 |