K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BYMA0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Rate ng Data | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps/pin |
| Packhaging | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Bilang ng Pins | — | 96 |