K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-BF70T तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X0808C1D-GF55000 द्वारा Samsung Electronics और K6X0808C1D-BF70T द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6X0808C1D-GF55000 | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| मेमोरी आकार | 256 Kbit | 256 Kbit |
| संगठन | 32K x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज | 28-SOP | 28-SOP |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C (TA) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Write Cycle Time | [DATA_NEEDED: write cycle time] | — |
| आउटपुट प्रकार | Three-state, common data I/O | — |
| Control Signals | CE, OE, WE (active low) | CE, OE, WE |
| Memory Format | Volatile, no refresh required | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Technology | Low-power CMOS | — |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |