K9XXG08UXM vs K9PDG08U5M तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9XXG08UXM द्वारा Samsung Electronics और K9PDG08U5M द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics
K9PDG08U5M ✗ जीवन की समाप्तिविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K9XXG08UXM | K9PDG08U5M |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | EEPROM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | उत्पादन बंद |
| मेमोरी आकार | 2G x 8 Bit (2Gb) | — |
| Memory Cell Array Organization | (1G + 32M) bit x 8 bit | — |
| Data Register | (2K + 64) bit x 8 bit | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 2.7 V to 3.6 V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Page Size | (2K + 64) Byte | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | (256K + 8K) Byte | [DATA_NEEDED: block size] |
| Program Operation | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte | — |
| Erase Operation | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte | — |
| I/O Interface | 8-bit multiplexed address/data/command | — |
| Control Signals | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B | — |
| Cell Type | SLC (single-level cell) NAND | — |
| पैकेज | 48-pin TSOP | TSOP1-48 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time (tR) | [DATA_NEEDED: Access Time] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| मेमोरी प्रकार | — | NAND Flash (SLC) |
| Density | — | 4 Gbit |
| संगठन | — | x8 (multiplexed I/O) |
| Page Read Time | — | [DATA_NEEDED: page read time] |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: block erase time] |
| Access Interface | — | Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control |
| Ready/Busy Output | — | Yes (R/B, open-drain) |
| Write Protect Pin | — | Yes (/WP) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |