K9XXG08UXM vs K9PDG08U5M 比較

詳細な並列比較: K9XXG08UXM メーカー: Samsung Electronics および K9PDG08U5M メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete
Samsung Electronics
K9PDG08U5M K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M ✗ 生産終了

仕様比較

パラメータ K9XXG08UXM K9PDG08U5M
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs EEPROM
ライフサイクル状態 Obsolete 製造終了
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $4.20
メモリサイズ 2G x 8 Bit (2Gb) —
Memory Cell Array Organization (1G + 32M) bit x 8 bit —
Data Register (2K + 64) bit x 8 bit —
電源電圧 2.7 V to 3.6 V [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Page Size (2K + 64) Byte [DATA_NEEDED: page size]
Block Size (256K + 8K) Byte [DATA_NEEDED: block size]
Program Operation Automatic Page Program, (2K + 64) Byte —
Erase Operation Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte —
I/O Interface 8-bit multiplexed address/data/command —
Control Signals CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B —
Cell Type SLC (single-level cell) NAND —
パッケージ 48-pin TSOP TSOP1-48
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time (tR) [DATA_NEEDED: Access Time] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
メモリタイプ — NAND Flash (SLC)
Density — 4 Gbit
メモリ構成 — x8 (multiplexed I/O)
Page Read Time — [DATA_NEEDED: page read time]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: block erase time]
Access Interface — Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control
Ready/Busy Output — Yes (R/B, open-drain)
Write Protect Pin — Yes (/WP)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

データシート&リソース

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