LPC55S26JBD64E vs LPC55S28JBD64E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना LPC55S26JBD64E द्वारा NXP Semiconductors और LPC55S28JBD64E द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | LPC55S26JBD64E | LPC55S28JBD64E |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | Microcontrollers | Microcontrollers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Core Processor | ARM Cortex-M33 (r0p3) | Arm Cortex-M33 |
| Core Size | 32-bit | 32-Bit |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | 150 MHz | 150 MHz |
| Flash Memory | 256 KB | — |
| SRAM | 256 KB | — |
| Connectivity | USB HS, I2C, SPI, UART/USART, I2S, SDIO | — |
| Peripherals | CASPER crypto co-processor, PLU, SCTimer/PWM, DMA, Comparator, Temperature Sensor | — |
| ADC Resolution | 16 bit | — |
| ADC Conversion Rate | 1.0 Msamples/sec | — |
| Security Features | AES, PUF, SHA, CRC, RNG | TrustZone, PUF-based security (S-series) |
| Interrupt Controller | NVIC with NMI input (selectable sources) | NVIC with NMI input (selectable sources) |
| Memory Protection | MPU (Memory Protection Unit) | — |
| पैकेज | 64-HTQFP (10 x 10 mm) | 64-HTQFP (10x10 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | 40 nm NVM | 40 nm NVM |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | 260 C |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) | 3 | 3 |
| Terminal Finish | Tin (JESD-609 code e3) | Tin (JESD-609 code e3) |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| सप्लाई वोल्टेज | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Flash Memory Size | — | 512 KB (512K x 8) |
| SRAM Size | — | 128 KB |
| Series | — | LPC55S2x |
| Memory Protection Unit | — | Yes (MPU) |
| Maximum Time at Peak Reflow | — | 30 s |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (e3 lead-free finish) |