M29F800FB55N3F2 vs M29F800FB55M3F2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FB55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F800FB55M3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F800FB55N3F2 | M29F800FB55M3F2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Memory Density | 8389 kbits (8 Mbit) | — |
| संगठन | 1M x 8 / 512K x 16 | 512K x 16-bit / 1M x 8-bit |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| इंटरफ़ेस प्रकार | Parallel NOR | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Package Type | 48-pin TSOP1 | — |
| Package Shape | Rectangular (JESD designation TSOP1) | — |
| Terminal Count | 48 | — |
| JESD-609 Termination Code | e3 (lead-free) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free terminations) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| मेमोरी प्रकार | — | NOR Flash, Parallel |
| Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Number of Words | — | 512 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block Type | — | Bottom Boot Block |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel, Asynchronous |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| OTP Area | — | 64 byte |
| Automotive Qualification | — | Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) |
| पैकेज | — | 44-pin SO (SOIC-44) |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |