M29W320DT70N3F vs M29W800FT70N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W320DT70N3F द्वारा Micron Technology और M29W800FT70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W320DT70N3F | M29W800FT70N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Flash |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | FLASH - NOR | NOR Flash (Parallel) |
| मेमोरी आकार | 32 Mbit (4M x 8, 2M x 16) | — |
| Access Speed | 70 ns | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel (Byte-wide) | Parallel, address/data bus |
| Supply Voltage - VCC | 2.7 V to 3.6 V | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| Boot Block Organization | Top boot block (DT suffix) | — |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks | — |
| पैकेज / केस | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Max Seated Height | 1.2 mm | — |
| Number of Terminals | 48 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Write Cycle - Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Density | — | 8 Mbit |
| संगठन | — | 1M x 8 / 512K x 16 |
| Access Time | — | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming / Erase Supply | — | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) |
| Boot Block Location | — | Top boot block (FT variant) |
| Bus Width | — | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40C to +125C |
| पैकेज | — | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Block Organization | — | [DATA_NEEDED: block size/organization] |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |