MT40A512M16AD-062E vs MT40A512M16TB-062E:R तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16AD-062E द्वारा Micron Technology और MT40A512M16TB-062E:R द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ सक्रियMicron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16AD-062E | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $60.00 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel (POD) | Parallel |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| सप्लाई वोल्टेज | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| डेटा दर | — | 3200 MT/s |
| CAS लेटेंसी | — | 22 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| विशेषताएँ | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |