MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16JY-075E द्वारा Micron Technology और H5AN8G6NAFR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16JY-075E | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| डेटा दर | 2666 MT/s | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96-FBGA (8x14) | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| विशेषताएँ | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Density | — | 8 Gb |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +85°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |