MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT40A512M16JY-075E tarafından Micron Technology ve H5AN8G6NAFR tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | MT40A512M16JY-075E | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | SK hynix |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gbit | — |
| Organizasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Veri Hızı | 2666 MT/s | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Arayüz | Parallel | — |
| Paket | 96-FBGA (8x14) | 96-ball FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Özellikler | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0°C to +85°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |