MT40A512M16LY-062E AAT:E vs K4A4G165WG-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16LY-062E AAT:E द्वारा Micron Technology और K4A4G165WG-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16LY-062E AAT:E | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $16.90 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit (1 GB) | 4 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | 256M x 16 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| Access Time | 19 ns | 19 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| Speed Grade | 062E | — |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) | FBGA-96 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package max height] | — |
| MSL Rating | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Ordering Code Suffix | AAT:E (temperature/package option per Micron code) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Moisture Packaging | [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] | — |
| Data Rate Class | DDR4-3200 (062E speed bin) | — |
| डेटा दर | — | 3200 Mbps |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval] |