MT40A512M16LY-062E AAT:E vs K4A4G165WG-BCWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M16LY-062E AAT:E بذریعہ Micron Technology اور K4A4G165WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT40A512M16LY-062E AAT:E K4A4G165WG-BCWE
برانڈ Micron Technology Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $16.90
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
میموری سائز 8 Gbit (1 GB) 4 Gbit
Memory Organization 512M x 16 256M x 16
انٹرفیس Parallel Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range]
Access Time 19 ns 19 ns
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
Speed Grade 062E —
پیکیج 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) FBGA-96
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
ڈیٹا ریٹ — 3200 Mbps
Memory Format — DRAM
Technology — DDR4
Product Status — Active
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh interval]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں