MT40A512M16LY-075:E vs AS4C512M16D4A-62BCN तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16LY-075:E द्वारा Micron Technology और AS4C512M16D4A-62BCN द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ सक्रिय
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT40A512M16LY-075:E AS4C512M16D4A-62BCN
ब्रांड Micron Technology Alliance Memory
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
डेटा दर 2666 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Clock Frequency 1.33 GHz —
CAS लेटेंसी 19 18 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
इंटरफ़ेस Parallel POD (Pseudo Open Drain)
पैकेज 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
संगठन — 512M x 16
सप्लाई वोल्टेज — 1.2 V
ऑपरेटिंग तापमान — 0°C to 95°C
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
RoHS स्थिति — Compliant
Packaging — Tray

डेटाशीट और संसाधन

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