MT40A512M16LY-075:E vs AS4C512M16D4A-62BCN So sánh

So sánh chi tiết song song của MT40A512M16LY-075:E bằng Micron Technology và AS4C512M16D4A-62BCN bằng Alliance Memory. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Hoạt động
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MT40A512M16LY-075:E AS4C512M16D4A-62BCN
Thương hiệu Micron Technology Alliance Memory
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
Tốc độ dữ liệu 2666 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Clock Frequency 1.33 GHz —
Latency CAS 19 18 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
Giao diện Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Hộp 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Khoảng nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Tổ chức — 512M x 16
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Nhiệt độ hoạt động — 0°C to 95°C
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
Trạng thái RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá