MT40A512M16LY-075:E vs H5AN8G6NDJR-XNC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16LY-075:E द्वारा Micron Technology और H5AN8G6NDJR-XNC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16LY-075:E | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $55.68 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gb |
| डेटा दर | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| CAS लेटेंसी | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |