MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16JY-083E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16LY-075:E द्वारा Micron Technology और MT40A512M16JY-083E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ सक्रियMicron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16LY-075:E | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| डेटा दर | 2666 MT/s | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| CAS लेटेंसी | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| RoHS | Compliant | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Density | — | 8 Gbit |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| हैलोजन फ्री | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |