MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16AD-062E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16TB-062E:R द्वारा Micron Technology और MT40A512M16AD-062E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ सक्रिय
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16AD-062E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति In Stock —
यूनिट मूल्य (USD) $60.00 —
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
डेटा दर 3200 MT/s —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz
CAS लेटेंसी 22 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
पैकेज 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm)
इंटरफ़ेस Parallel Parallel (POD)
डेटा बस चौड़ाई 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
विशेषताएँ Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
संगठन — 512M x 16
Access Time (Row Cycle) — 19 ns
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
Automotive Qualification — AUT:E (automotive variant)
Speed Grade — -062E
सप्लाई वोल्टेज — [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)]
Prefetch Architecture — 8n with bank groups
HS Code (USHTS) — 8542320071
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: reel quantity]

डेटाशीट और संसाधन

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