MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16JY-075E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16TB-062E:R द्वारा Micron Technology और MT40A512M16JY-075E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16TB-062E:R | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $60.00 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| डेटा दर | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1.33 GHz |
| CAS लेटेंसी | 22 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C | — |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA (8x14) |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0°C to +95°C (TC) |