MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16JY-075E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT40A512M16TB-062E:R tarafından Micron Technology ve MT40A512M16JY-075E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Aktif
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16JY-075E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $60,00 —
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
Veri Hızı 3200 MT/s 2666 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1.33 GHz
CAS Gecikme 22 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.14V to 1.26V
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) 2.5V (-125mV, +250mV)
İşletim Sıcaklığı 0°C to +95°C —
Paket 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (8x14)
Arayüz Parallel Parallel
Veri Bus Genişliği 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
Özellikler Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
RoHS Durumu Compliant Compliant
Organizasyon — 512M x 16
Montaj Türü — Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı — 0°C to +95°C (TC)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin