MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646E-BYMATCV तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16RE-125:D द्वारा Micron Technology और K4B4G1646E-BYMATCV द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V |
| डेटा दर | 1600 MT/s | 1866 Mbps |
| CAS लेटेंसी | 11 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| पैकेज | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |