MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646E-BYMATCV مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K256M16RE-125:D توسط Micron Technology و K4B4G1646E-BYMATCV توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V |
| نرخ داده | 1600 MT/s | 1866 Mbps |
| تأخیر CAS | 11 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| بسته‌بندی | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| دمای کاری | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| اندازه حافظه | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| محدوده دمای کاری | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |