MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646E-BYMATCV Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT41K256M16RE-125:D tarafından Micron Technology ve K4B4G1646E-BYMATCV tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktifSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V |
| Veri Hızı | 1600 MT/s | 1866 Mbps |
| CAS Gecikme | 11 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Paket | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Bellek Boyutu | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| RoHS Durumu | — | Compliant |