MT41K256M16RE-125:D vs MT41K256M16 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16RE-125:D द्वारा Micron Technology और MT41K256M16 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16RE-125:D | MT41K256M16 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM (1.35V) |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | — |
| डेटा दर | 1600 MT/s | — |
| CAS लेटेंसी | 11 | — |
| पैकेज | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C (TC) | [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) |
| Banks | — | 8 |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Speed Grade Options | — | -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel, source-synchronous DDR |
| Refresh | — | 8K refresh cycles / 64 ms |
| CAS Latency Options | — | [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] |
| Die Revision | — | Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| Lead Free | — | Yes (per DigiKey product listing) |