MT41K256M16RE-15E:D vs MT41K256M16RE-125:D तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16RE-15E:D द्वारा Micron Technology और MT41K256M16RE-125:D द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-15E:D ✓ सक्रियMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16RE-15E:D | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gb (256M x 16) | — |
| डेटा दर | 667 MHz (DDR3L-1333) | 1600 MT/s |
| Access Time | 13.5 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V) | 1.35 V |
| पैकेज | 96-FBGA (10x14 mm) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to 95°C (TC) | 0C to +95C (TC) |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS लेटेंसी | 11 (typical) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | 8, 4 |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| RoHS | — | Compliant |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |