MT41K256M16RE-15E:D vs MT41K256M16RE-125:D 比較

詳細並排比較 MT41K256M16RE-15E:D 由 Micron Technology 與 MT41K256M16RE-125:D 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT41K256M16RE-15E:D MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-15E:D ✓ 啟用中
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MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

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規格比較

參數 MT41K256M16RE-15E:D MT41K256M16RE-125:D
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
記憶體容量 4Gb (256M x 16) —
資料速率 667 MHz (DDR3L-1333) 1600 MT/s
Access Time 13.5 ns —
供應電壓 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V) 1.35 V
封裝 96-FBGA (10x14 mm) FBGA-96 (9x14 mm)
安裝類型 Surface Mount —
工作溫度 -40°C to 95°C (TC) 0C to +95C (TC)
介面 Parallel —
組織 256M x 16 256M x 16
CAS 延遲 11 (typical) 11
Burst Length 8, 4 8, 4
腳位數 96 —
RoHS 狀態 Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Density — 4 Gb
RoHS — Compliant
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

資料表與資源

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