MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-FLNA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16TW-107:P द्वारा Micron Technology और NT5CC256M16ER-FLNA द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16TW-107:P ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-FLNA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| डेटा दर | 1866 MT/s | 1866 Mbps (max) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage | 1.35V | 1.5 V |
| CAS लेटेंसी | 13 | Programmable (e.g., 13, 14) |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| पैकेज | 96-FBGA (8x14mm) | 96-ball TFBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0°C to +95°C (commercial/industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto and self refresh |
| RoHS | — | Compliant |