NT5CC256M16DP-DI vs IS43TR16256AL-125KBL तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16DP-DI द्वारा Nanya Technology और IS43TR16256AL-125KBL द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ सक्रिय
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5CC256M16DP-DI IS43TR16256AL-125KBL
ब्रांड Nanya Technology ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
संगठन 256M x 16 —
सप्लाई वोल्टेज 1.35V 1.35V (backward compatible to 1.5V)
डेटा दर 1600 Mbps/pin (800MHz) 1600 Mbps
पैकेज VFBGA-96 96-TWBGA (9x13mm)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40°C to +95°C (industrial) —
CAS लेटेंसी 11, 12, 13 (programmable) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 —
इंटरफ़ेस Differential clock (CK, CK#) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
मेमोरी आकार — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान — 0°C ~ 95°C
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
RoHS स्थिति — Compliant
Number of Terminals — 96

डेटाशीट और संसाधन

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