NT5CC256M16ER-EK vs MT41K256M16TW-107:P तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16ER-EK द्वारा Nanya Technology और MT41K256M16TW-107:P द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16TW-107:P ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16ER-EK | MT41K256M16TW-107:P |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35V |
| डेटा दर | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1866 MT/s |
| पैकेज | TFBGA-96 | 96-FBGA (8x14mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| tRCD | — | 20 ns |
| tRP | — | 20 ns |