NT5CC256M16ER-EK vs MT41K256M16TW-107:P Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5CC256M16ER-EK sa pamamagitan ng Nanya Technology at MT41K256M16TW-107:P sa pamamagitan ng Micron Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16TW-107:P ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5CC256M16ER-EK | MT41K256M16TW-107:P |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Micron Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35V |
| Rate ng Data | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1866 MT/s |
| Packhaging | TFBGA-96 | 96-FBGA (8x14mm) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Interface | Parallel | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Laki ng Memory | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| tRCD | — | 20 ns |
| tRP | — | 20 ns |