NT5CC256M16ER-EK vs MT41K256M16TW-107:P 比較

詳細並排比較 NT5CC256M16ER-EK 由 Nanya Technology 與 MT41K256M16TW-107:P 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EK NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK ✓ 啟用中
Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ 啟用中

規格比較

參數 NT5CC256M16ER-EK MT41K256M16TW-107:P
品牌 Nanya Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
組織 256M x 16 —
供應電壓 1.35 V 1.35V
資料速率 933 MHz (DDR3L-1866) 1866 MT/s
封裝 TFBGA-96 96-FBGA (8x14mm)
工作溫度 0°C to +95°C 0°C to +95°C
CAS 延遲 [DATA_NEEDED: CAS Latency] 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8
介面 Parallel —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 狀態 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Auto Self-Refresh Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
記憶體容量 — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
I/O Voltage — 1.35V
tRCD — 20 ns
tRP — 20 ns

資料表與資源

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