STB80NF55-06T4 vs STB80NF55-08AG तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना STB80NF55-06T4 द्वारा STMicroelectronics और STB80NF55-08AG द्वारा STMicroelectronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
STMicroelectronics
STB80NF55-06T4 - 80A, 55V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STB80NF55-06T4 ✓ सक्रियSTMicroelectronics
STB80NF55-08AG - 55V 80A Automotive N-Channel MOSFET | STMicroelectronics
STB80NF55-08AG ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | STB80NF55-06T4 | STB80NF55-08AG |
|---|---|---|
| ब्रांड | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 80 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | 56 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 320 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 6.5 mΩ (typ), 8 mΩ (max) | — |
| Gate Charge (Qg) | 80 nC (typ) | [DATA_NEEDED: gate charge value] |
| Input Capacitance (Ciss) | 4500 pF (typ) | [DATA_NEEDED: input capacitance value] |
| Output Capacitance (Coss) | 700 pF (typ) | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 250 pF (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) | 300 W | 300 W (Tc) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C |
| पैकेज | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 80 A (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 6.5 mΩ typ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage value] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 100% avalanche tested |
| Automotive Grade | — | AEC-Q101 qualified |
| Technology | — | STripFET |